常见
问答需分 “粗磨 – 精磨 – 粗抛 – 精抛” 四阶段控制:
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阶段 |
磨抛介质 |
转速(rpm) |
压力(N) |
时间(min) |
目标效果 |
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粗磨 |
120# 碳化硅砂纸 |
800-1000 |
30-40 |
3-5 |
去除切割痕迹,表面平整 |
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精磨 |
800#→1500# 砂纸 |
1000-1200 |
20-30 |
2-3 / 阶段 |
表面粗糙度 Ra≤1.0μm |
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粗抛 |
9μm 金刚石研磨膏 |
1200-1500 |
15-25 |
5-8 |
Ra≤0.2μm,无明显磨痕 |
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精抛 |
1μm 胶体硅 |
1500-1800 |
10-15 |
3-5 |
Ra≤0.02μm,晶粒边界清晰 |
关键提示:磨抛过程中需定期清理抛光盘,避免旧磨料残留导致二次划伤;钢试样精抛后建议用 4% 硝酸酒精溶液腐蚀,增强晶粒对比度。
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